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71
晶体管源极/
漏极区
及其形成方法
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晶体管源极/漏极区及其形成方法晶体管源极/漏极区及其形成方法晶体管源极/漏极区及其形成方法
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在外延源极或
漏极区
之间具有导电接触应力源的相邻全环栅集成电路结构
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在外延源极或漏极区之间具有导电接触应力源的相邻全环栅集成电路结构在外延源极或漏极区之间具有导电接触应力源的相邻全环栅集成电路结构在外延源极或漏极区之间具有导电接触应力源的相邻全环栅集成电路结构
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具有混合源极/
漏极区
的晶体管
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具有混合源极/漏极区的晶体管具有混合源极/漏极区的晶体管具有混合源极/漏极区的晶体管
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在源极/
漏极区
中形成凹槽的方法和由此形成的器件
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在源极/漏极区中形成凹槽的方法和由此形成的器件在源极/漏极区中形成凹槽的方法和由此形成的器件在源极/漏极区中形成凹槽的方法和由此形成的器件
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19
漏极区
中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法
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漏极区中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法漏极区中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法漏极区中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法
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18
包括位于邻近源极/
漏极区
的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构
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包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构
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具有非分立的源极区和
漏极区
的纳米线结构
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具有非分立的源极区和漏极区的纳米线结构具有非分立的源极区和漏极区的纳米线结构具有非分立的源极区和漏极区的纳米线结构
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22
在体半导体衬底中的源极/
漏极区
下方具有气隙的晶体管
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在体半导体衬底中的源极/漏极区下方具有气隙的晶体管在体半导体衬底中的源极/漏极区下方具有气隙的晶体管在体半导体衬底中的源极/漏极区下方具有气隙的晶体管
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