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包括延伸的NLDD源极-漏极区以获得改善的耐久性的MOS晶体管.doc
包括延伸的NLDD源极-漏极区以获得改善的耐久性的MOS晶体管包括延伸的NLDD源极-漏极区以获得改善的耐久性的MOS晶体管包括延伸的NLDD源极-漏极区以获得改善的耐久性的MOS晶体管
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垫高源漏极区的半导体组件制造方法的技术专利参考.pdf
名称:垫高源漏极区的半导体组件制造方法国际分类号:.范畴分类号:发明人:...主权利要求::.一种垫高源/漏极区的组件制造方法,其特征是:包括下列步骤:设...
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漏极区中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法.pdf
漏极区中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法漏极区中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法漏极区中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法
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晶体管源极/漏极区及其形成方法.pdf
晶体管源极/漏极区及其形成方法晶体管源极/漏极区及其形成方法晶体管源极/漏极区及其形成方法
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使用经掺杂的凸起源极和漏极区的源极和漏极掺杂.doc
（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN103824777A （43）申请公布日 2014.05.28 （21）申请号 CN201310572044.7 （2
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包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构.pdf
包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构
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包括源极/漏极区的半导体器件.doc
（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN111192923A （43）申请公布日 2020.05.22 （21）申请号 CN201910489544.1 （2
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设计的用于n型MOSFET的源极/漏极区.doc
（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN104037224A （43）申请公布日 2014.09.10 （21）申请号 CN201310231593.8 （2
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源极/漏极区的制造方法及含源极/漏极区的半导体结构.doc
源极/漏极区的制造方法及含源极/漏极区的半导体结构源极/漏极区的制造方法及含源极/漏极区的半导体结构源极/漏极区的制造方法及含源极/漏极区的半导体结构
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在源极区和漏极区之间包括第一和第二半导体材料的晶体管及其制造方法.doc
在源极区和漏极区之间包括第一和第二半导体材料的晶体管及其制造方法在源极区和漏极区之间包括第一和第二半导体材料的晶体管及其制造方法在源极区和漏极区之间包括第一和第二半导体材料的晶体管及其制造方法
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