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... 摘要: 采用量子输运模型和NEGF 理论,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,对类MOS- 碳纳米管场效应晶体管 的电子输运特性建模。考察了沟道长度Lg 为5~25 nm 时,其对器件的导通电流、 阈值电压、关态泄漏电流、电流 开关比、亚阈值摆幅等性质的影响。结果表明:当Lg≥15 nm 时,MOS ...
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