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碲锌镉晶体的缺陷及其退火研究.pdf
- 碲锌镉(Cd<,1-x>Zn<,x>Te，简写CZT)晶体是一种性能优异的三元化合物半导体室温核辐射探测器材料。它具有电阻率高、暗电流低、热稳定性好、带隙宽且可调、探测射线能量分辨率较高等诸多优异的性能，适用于制作X射线和Y射线探测器。近年来倍受到人们的关注，并成为目前世界研究的前沿热点。然而，由于czT体生长温度高、热导率低、各组元尤其是Cd具有较高的平衡蒸气压、Zn组分的分凝系数大、晶面堆垛能低等因素，而导致生长的CZT晶体中存在各种各样的缺陷。 本文针对CZT晶体主要缺陷以及产生的原因进行了分析，利用金相显微镜和扫描电镜对生长的CZT晶体中的缺陷形貌进行了观察，发现其中存在位错、晶界、孪晶界、沉淀以及夹杂等缺陷。通过对晶体红外透过率、紫外-可见光吸收、电阻率测试及腐蚀坑密度计算显示，刚生长的CZT晶体缺陷密度高，电阻率低，难以直接用于制作室温核辐射探测器。 为了获得适于制作探测器的高质量CZT晶体，对生长的晶体进行了退火改性研究。根据对CZT晶体退火机制的分析和退火工艺参数的选择，对生长的CZT晶体分别在不同气氛中进行了退火实验。首次采用正电子湮没技术对退火前后的CZT晶片分别进行了湮没寿命谱测试，同时分别用红外分光光度计和高阻仪对退火前后的CZT晶片的光学和电学性能进行TN试，结果表明，富Cd同成分源Cd<,1-X>Zn<,X>Te粉末包裹CZT晶体，在700℃退火120h和在单质Zn气氛中600℃退火120h，能有效地减少或消除CZT晶体中的缺陷，改善其均匀性，提高其光学和电学性能，使其适合室温核辐射探测器的制作。 采用退火前后的CZT晶体制备了探测器，并在室温下对<´241>Am源辐射进行了能谱响应测试实验，发现退火和未退火的CZT晶体制作的探测器均对<´241>Am源有能谱响应。其中未退火的晶体制作的探测器，对<´241>Am源辐照呈现一条连续响应谱线；退火后的晶体制作的探测器对<´241>Am59.5KeV的能量分辨率为36.58％。表明CZT晶体的退火对提高探测器的性能具有重要的理论意义和实用价值。
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碲锌镉晶体的缺陷及其退火研究.pdf
- 碲锌镉晶体的缺陷及其退火研究
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碲锌镉晶体的缺陷及其退火研究.pdf
- 凝聚态物理硕博毕业论文 - 碲锌镉晶体的缺陷及其退火研究.
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碲锌镉晶体缺陷的物理性能和抑制技术的研究.pdf
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一种快速揭示碲锌镉晶体各类缺陷的方法.doc
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大直径碲镉汞晶体的生长工艺及晶体缺陷研究.pdf
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一种用于揭示碲锌镉晶体各类缺陷的腐蚀液.doc
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探测器级碲锌镉晶体生长及缺陷研究进展.docx
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碲锌镉晶体缺陷的物理性能和抑制技术的研究的开题报告.docx
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探测器级碲锌镉晶体生长及缺陷研究进展.docx
- 探测器级碲锌镉晶体生长及缺陷研究进展探测器级碲锌镉晶体生长及缺陷研究进展探测器级碲锌镉晶体生长及缺陷研究进展
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