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耐高温连续碳化硅纤维性能探讨及应用.pdf
耐高温连续碳化硅纤维的性能探讨及应用
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碳化硅陶瓷无压烧结及性能研究.pdf
碳化硅陶瓷作为一种具有高强度、高硬度、耐高温、耐腐蚀、耐磨损、抗热震的高性能特种陶瓷材料广泛用于航空航天、电力电子、机械工业、石油化工等许多领域。由于碳化硅原料共价键占80%左右,因此很难在常压下烧结致密,为了使碳化硅陶瓷烧结,常采用反应烧结、热压烧结等方法烧结制品,但是制品的性能也不尽理想。近年随着碳化硅制品烧结理论的发展,微粉性能的提高,烧结助剂的多样化和深入研究,采用无压烧结工艺烧结高性能碳化硅制品的工艺开始发展完善。碳化硅制品无压烧结法,工艺简单、成本低廉,烧结后的制品性能优良,从而成为一种很有发展前途的烧结方法。本文对碳化硅陶瓷的无压烧结工艺进行了研究。主要包括: (1)碳化硅陶瓷的制备工艺,即碳化硅原料、烧结助剂种类的选择及用量,重点研究两种烧结助剂体系对碳化硅陶瓷性能的影响,并通过多组配方体系的实验、对比与优化选定最佳配方;以及成型压力、烧结温度等工艺参数对碳化硅陶瓷性能的影响。 (2)碳化硅陶瓷的物理性能、力学性能和显微结构的测试分析。 (3)碳化硅陶瓷烧结机理及结晶性能的研究,包括SiC陶瓷在烧结过程中所产生的化学变化,结构、含量、成份的变化,及烧结过程中气氛的影响。 通过实验研究发现,碳化硅陶瓷的最佳成型压力为140MPa,最佳保压时间为90s;粘结剂最佳用量为物料总质量的3%;含有C、B4C元素作为烧结助剂的碳化硅陶瓷烧结属于固相烧结,烧结过程主要由扩散机制控制,最佳烧结温度为2150℃;含有Al2O3、K2O、Na2O、MgO等金属氧化物作为烧结助剂的碳化硅陶瓷烧结属于液相烧结,烧结过程主要由界面反应控制,最佳烧结温度为1350℃。实验制备所得碳化硅陶瓷的最大密度为3.16g/cm3(相对密度98.75%),最大抗压强度为550MPa。结果表明:添加适当含量的C+B4C烧结助剂的碳化硅无压烧结工艺简单且易于控制,陶瓷烧结后相比于生坯有30%左右的体积收缩,可以获得致密度较高,力学性能较好的碳化硅特种陶瓷。
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碳化硅孕育剂在铸铁中起到作用.doc
碳化硅孕育剂在铸铁中起到的作用碳化硅孕育剂在铸铁中起到的作用碳化硅孕育剂在铸铁中起到的作用
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碳化硅晶体可见近红外透射光谱分析.doc
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基于pspice的碳化硅mosfet建模与仿真.pdf
基于pspice的碳化硅mosfet的建模与仿真
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碳化硅的主要应用领域.doc
碳化硅的主要应用领域
2011年01月18日
  目前碳化硅的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件,未来手机和笔记本电脑的背景光市场将给碳化硅提供巨大的需求增长。 而由于一些特殊方面的应用,国外碳化硅生产企业对中国进行禁运,而碳化硅晶体巨大的技术壁垒又导致中国国内到目前为止仍没有企业能够生产,因此,国内下游企业和研究机构都在“等米下锅”。目前全球主要碳化硅晶片制造商美国Cree在NASDA上市的Cree的碳化硅晶片产量为30万片,占全球出货量的85 。是全球碳化硅晶片行业的先行者,为后续有自主创新能力的企业开拓了市场
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碳化硅晶体生长过程中扩径与缺陷控制.pdf
Title:CONTRoL oF DIAMETER AND STRUCTURAL DEFECTS DURING SILICoN CARBIDE CRYSTAL GRoWTH Major:Mocroel
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碳化硅含量测定方法.pdf
碳化硅含量的测定方法碳化硅含量的测定方法碳化硅含量的测定方法
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无压烧结碳化硅陶瓷环生产工艺设计.doc
北方民族大学课程设计报告  系(部、中心) 材料科学与工程学院 同组人员 课程名称 设计题目名称 起止时间  产品简介11.1 碳化硅陶瓷的发展情况 11.1.1 碳化硅行业发展现状 11.2 SiC
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碳化硅纳米材料制备与表征.pdf
碳化硅纳米材料的制备与表征

向豆丁求助:有没有碳化硅的?

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