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一种AlGaN/GaN高电子
迁移率
晶体管及制造方法
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一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制造方法一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制造方法一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制造方法
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具有隐埋P型层的III族氮化物高电子
迁移率
晶体管及其制造方法
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高电子
迁移率
晶体管和包括所述晶体管的具有改进的性能和可靠性的功
率
放大器
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高电子迁移率晶体管和包括所述晶体管的具有改进的性能和可靠性的功率放大器高电子迁移率晶体管和包括所述晶体管的具有改进的性能和可靠性的功率放大器高电子迁移率晶体管和包括所述晶体管的具有改进的性能和可靠性的功率放大器
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与包括共用压电/缓冲层的高电子
迁移率
晶体管集成的RF声波谐振器及其形成方法
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与包括共用压电/缓冲层的高电子迁移率晶体管集成的RF声波谐振器及其形成方法与包括共用压电/缓冲层的高电子迁移率晶体管集成的RF声波谐振器及其形成方法与包括共用压电/缓冲层的高电子迁移率晶体管集成的RF声波谐振器及其形成方法
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数据独立的组合离子
迁移率
和质谱分析的方法和设备
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数据独立的组合离子迁移率和质谱分析的方法和设备数据独立的组合离子迁移率和质谱分析的方法和设备数据独立的组合离子迁移率和质谱分析的方法和设备
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一种调节载流子
迁移率的
发光层及有机电致发光器件
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一种调节载流子迁移率的发光层及有机电致发光器件一种调节载流子迁移率的发光层及有机电致发光器件一种调节载流子迁移率的发光层及有机电致发光器件
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用于捕获全分辨
率
离子
迁移率
数据和执行以多分析物为目标的数据采集的系统和方法
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用于捕获全分辨率离子迁移率数据和执行以多分析物为目标的数据采集的系统和方法用于捕获全分辨率离子迁移率数据和执行以多分析物为目标的数据采集的系统和方法用于捕获全分辨率离子迁移率数据和执行以多分析物为目标的数据采集的系统和方法
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MOSFET
迁移率
增强技术
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电泳
迁移率
变动分析
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8.2离子的电
迁移率
和
迁移
数
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8.2离子的电迁移率和迁移数,离子迁移率,离子迁移速率,离子迁移,离子迁移谱,离子迁移谱原理,离子迁移谱仪,去离子水的电导率,离子电导率,电泳迁移率
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