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0.13um铜互连工艺的研究和改善.pdf
本文针对先进铜互连技术中存在的一些问题，具体研究了铜化学机械研磨工
艺的特性，提出了几种工艺优化方法，使得产品通过了最终的可靠性验证。全文
得到的结论如下：
1)碟形凹陷(dishing)是铜制程化学机械研磨工艺中不可避免的缺陷；但通过
对化学机械研磨工艺的多次试验及调试；dishing缺陷的程度是可以被改善
的；研究表明，光靠对机械参数的调试，dishing缺陷改善的程度是十分有
限的。考虑到工艺中不仅存在着物理的研磨现象也同时存在着化学反应；因
此，我们通过更改研磨液，同时加上适当的机械参数的调试显著地减少了
dishing缺陷的程度。
2)现今的研磨液大多是由多种化学试剂加上特殊研磨颗粒所配制成的溶液，同时配方是高度保密的；因此，研磨液的表现如何需要通过周密的实验部署来
收集足够多的数据。包括：验证工艺的稳定性、缺陷类型的分析、电性数据
的收集、验证工艺窗口的大小；并最终通过良率及可靠性测试的结果来筛选
出符合标准的研磨液：光靠厂商提供的数据作为选择标准是不足取的。
3)由于研磨液是铜制程化学机械研磨工艺不可缺少的重要组成部分；同时，研
磨液在晶圆生产过程中用量是比较大的；因此，其占工艺开销成本的比重也
很大。这也就意味着如果通过完善严格的评估体系筛选到性能好价钱相对低
廉的研磨液将对集成电路生产商提高晶圆生产良率，降低自身生产成本；进
而为提升公司在行业中的竞争力带来显著效果。随着半导体技术的发展，互连布线所产生的时间延迟将越来越引起重视：同
时，设计上的特殊性以及线宽的不断缩小将对集成电路制造工艺提出更高的要
求；作为表面平坦化的唯一解决方案，铜制程化学机械研磨工艺必将会得到更多
的关注及不断的提高。
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013um铜互连工艺的研究和改善.pdf
013um铜互连工艺的研究和改善
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铜互连工艺缺陷模式及其对集成电路良率的影响.pdf
ＩＩＩＩＩＩ １１１Ｙ１９７２７８２本论文首先简单介绍实现铜互连的双镶嵌工艺（ＤｕａｌＤａｍａｓｃｅｎｅ）。因为铜互连采用镶嵌工艺，与传统铝互连工艺完全不同，所以铜互连工艺的缺陷模式也完全不同，其对良
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博士学位论文-大规模集成电路的发展以及铜互连工艺的概述.doc
九十年代以后，大规模集成电路工艺的发展仍然依照摩尔定律所预言的发展速度急剧增加。集成电路技术目前已发展到甚大规模阶段。
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博士学位论文开题报告-大规模集成电路的发展以及铜互连工艺的概述.pdf
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铜互连技术的扩散阻挡层工艺研究.pdf
王奇峰指导教师：李炳宗教授李鹤鸣／王继明商工完成日期： ２００５年１１月１０日铜互连技术的扩敝阻挡层工艺研究 王奇峰 董盟大学研究生院摘要集成电路发展，要求不断提齑集成度和速度，茭途径为器件微夺型化。
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65纳米铜互连工艺中超厚沟槽刻蚀配方的问题与优化课件.ppt
65纳米铜互连工艺中超厚沟槽刻蚀配方的问题与优化课件65纳米铜互连工艺中超厚沟槽刻蚀配方的问题与优化课件65纳米铜互连工艺中超厚沟槽刻蚀配方的问题与优化课件
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空气污染源对铜互连中电镀铜模拟工艺影响.pdf
後旦大学硕士学位论文《专业学彼）Ｙ』９Ｓ３７１９学校代码学哮１０２４６０４３０２１１７０空气污染源瓣麓熏遘中奄镀锯模拟工艺的影响院 复旦人学＂ｆ究生院ＡｂｓｔｒａｃｔＴｈｅＳｔｕｄｉｅｓｏｎｔｈｅｉｍ
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空气污染源对铜互连中电镀铜模拟工艺的影响.pdf
後旦大学硕士学位论文《专业学彼)Y』9S3719学校代码学哮10246043021170空气污染源瓣麓熏遘中奄镀锯模拟工艺的影响院系：专业：姓名：指导教师：完成日期：信息科学与工程学院电子与通信工程边
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空气污染源对铜互连中电镀铜模拟工艺地影响论文.pdf
复旦人学＂ｆ究生院ＡｂｓｔｒａｃｔＴｈｅＳｔｕｄｉｅｓｏｎｔｈｅｉｍｐａｃｔｏｆａｉｒｂｏｒｎｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎｓ（ＡＭｅｓ）ｏｎＩＣｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｐｒｏｃｅｓ
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向豆丁求助：有没有铜互连工艺?

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