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集成电路铜互连工艺中先进扩散阻挡层的研究(博士论文).pdf
- 随着集成电路器件尺寸的持续缩小,互连延迟越来越成为制约集成电路发展的瓶颈问题。在32nm及以下技术节点,互连工艺中磁控溅射制备的Ta/TaN双层结构扩散阻挡层和铜籽晶层由于台阶覆盖特性不好将带来各种问题。为了降低互连线的电阻,必须在保证器件性能的同时,减小扩散阻挡层和籽晶层的厚度,而且两者必须在高深宽比结构中有非常好的台阶覆盖特性,因此迫切需要研究新型扩散阻挡层/黏附层材料和新型互连工艺,这是半导体发展路线图中提出的一个非常重要的挑战。采用新型扩散阻挡层/黏附层材料和新型淀积工艺有许多问题需要研究,包括新型扩散阻挡层和铜以及低介电常数介质之间的界面反应、新型原子层淀积(Atomic Layer Deposition,ALD)的工艺、ALD薄膜生长机理、表面化学、材料的物理性能和电学性能之间的关系等。对这些问题的研究不仅有科学价值,对未来的阻挡层发展方向提出的一些解决方案也有应用价值。 基于以上问题本文围绕Cu互连扩散阻挡层“新材料”和“新工艺”两个主题,分成三个部分加以阐述: 1:新型阻挡层材料W碳化物的研究 实验比较了相同厚度的Ta/TaN双层结构和Ta或TaN单层结构扩散阻挡层性能,分析了Ta/TaN双层结构优越稳定性的原因,提出了Ta/TaN双层薄膜的微结构演变过程以及其阻挡层的失效机理。
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心芯相连先进铜互连工艺设备研发与制造一期项目可行性报告模板范本.docx
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集成电路铜互连工艺中先进扩散阻挡层的研究.pdf
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溅射铜和铜合金薄膜的微观结构与性能--铜互连技术的基础研究.pdf
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(材料学专业论文)溅射铜和铜合金薄膜的微观结构与性能--铜互连技术的基础研究.pdf
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铜互连新型粘附层_扩散阻挡层材料的理论和实验研究.pdf
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超深亚微米铜互连的失效机理与可靠性研究.pdf
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向豆丁求助：有没有铜互连工艺?
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