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013um铜互连工艺的研究和改善.pdf
013um铜互连工艺的研究和改善
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013UM+DAMASCUS铜互连工艺的研究和改善.pdf
013UM+DAMASCUS铜互连工艺的研究和改善
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0.13um铜互连工艺的研究和改善.pdf
本文针对先进铜互连技术中存在的一些问题，具体研究了铜化学机械研磨工
艺的特性，提出了几种工艺优化方法，使得产品通过了最终的可靠性验证。全文
得到的结论如下：
1)碟形凹陷(dishing)是铜制程化学机械研磨工艺中不可避免的缺陷；但通过
对化学机械研磨工艺的多次试验及调试；dishing缺陷的程度是可以被改善
的；研究表明，光靠对机械参数的调试，dishing缺陷改善的程度是十分有
限的。考虑到工艺中不仅存在着物理的研磨现象也同时存在着化学反应；因
此，我们通过更改研磨液，同时加上适当的机械参数的调试显著地减少了
dishing缺陷的程度。
2)现今的研磨液大多是由多种化学试剂加上特殊研磨颗粒所配制成的溶液，同时配方是高度保密的；因此，研磨液的表现如何需要通过周密的实验部署来
收集足够多的数据。包括：验证工艺的稳定性、缺陷类型的分析、电性数据
的收集、验证工艺窗口的大小；并最终通过良率及可靠性测试的结果来筛选
出符合标准的研磨液：光靠厂商提供的数据作为选择标准是不足取的。
3)由于研磨液是铜制程化学机械研磨工艺不可缺少的重要组成部分；同时，研
磨液在晶圆生产过程中用量是比较大的；因此，其占工艺开销成本的比重也
很大。这也就意味着如果通过完善严格的评估体系筛选到性能好价钱相对低
廉的研磨液将对集成电路生产商提高晶圆生产良率，降低自身生产成本；进
而为提升公司在行业中的竞争力带来显著效果。随着半导体技术的发展，互连布线所产生的时间延迟将越来越引起重视：同
时，设计上的特殊性以及线宽的不断缩小将对集成电路制造工艺提出更高的要
求；作为表面平坦化的唯一解决方案，铜制程化学机械研磨工艺必将会得到更多
的关注及不断的提高。
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013um Damascus铜互连工艺的研究和改善硕士论文.doc
013um Damascus铜互连工艺的研究和改善硕士论文013um
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改善顶层铜互连层的丘状凸起缺陷的工艺方法.doc
改善顶层铜互连层的丘状凸起缺陷的工艺方法改善顶层铜互连层的丘状凸起缺陷的工艺方法改善顶层铜互连层的丘状凸起缺陷的工艺方法
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改善铜金属互连的电偶腐蚀的方法.pdf
改善铜金属互连的电偶腐蚀的方法改善铜金属互连的电偶腐蚀的方法改善铜金属互连的电偶腐蚀的方法
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改善铜互连技术的经时介电层击穿性能的方法.pdf
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废杂铜生产铜杆工艺改善研究.pdf
废杂铜生产铜杆工艺改善研究
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0.13um铜互连工艺的研究和改善的开题报告.docx
0.13um铜互连工艺的研究和改善的开题报告0.13um铜互连工艺的研究和改善的开题报告0.13um铜互连工艺的研究和改善的开题报告
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氮化硅在集成电路铜互连中的应用研究和改善的任务书.docx
氮化硅在集成电路铜互连中的应用研究和改善的任务书氮化硅在集成电路铜互连中的应用研究和改善的任务书氮化硅在集成电路铜互连中的应用研究和改善的任务书
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