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英飞凌500V-900V CoolMOS.doc
- 英飞凌500V-900V CoolMOS
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Infineon_COOLMOS_P6.pdf
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CoolMOS的主要参数及选用.pdf
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COOLMOS与VDMOS的结构差异.doc
- COOLMOS在电源上的应用已经初具规模，向英飞凌的产品已经全为COOLMOS系列，在电源开发的过程中选用COOLMOS应该注意什么呢？。COOLMOS与VDMOS的结构差异。为了克服传统MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾，一些人在VDMOS基础上提出了一种新型的理想器件结构，称为超结器件或COOLMOS，COOLMOS的结构如图2所示，其由一些列的P型和N型半导体薄层交替排列组成。在截止态时，由于P型和N型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应，使P型和N型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时，这种高浓度的掺杂可以使其导通电阻显著下降，大约有两个数量级。因为这种特殊的结构，使得COOLMOS的性能优于传统的。VDMOS.。 。对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson就大了。Rdson直接决定着MOSFET单体的损耗大小。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和，这就是常规VDMOS的局限性。。但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积。常规VDSMO，P body浓度要大于N EPI，大家也应该清楚，PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面，电场强度E越大。对于COOLMOS结构，由于设置了相对P b
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Infineon 900V CoolMOS-new benchmark of super junction MOSFET.pdf
- Infineon 900V CoolMOS-new benchmark of super junction MOSFET
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CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较.pdf
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的CoolMOS CFD2电信,太阳能,电动汽车(36).ppt
- 文档标题《的CoolMOS CFD2电信，太阳能，电动汽车》，总页数为36页，主要介绍了与<的CoolMOS CFD2电信，太阳能，电动汽车>相关的资料，希望对大家有用，欢迎大家浏览！
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CoolMOS datasheet understanging and design tips.pdf
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一种具有引脚加固结构的coolmos.pdf
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一种沟槽型CoolMOS.doc
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向豆丁求助：有没有Coolmos?
