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巧用sinx_x_tanx解题.pdf
- tanx解题丁 春(南京市上新河中学,江苏 210019) 在三角中有一个重要的不等式:当 tanx.证明 如图1, 在单位圆中, AOB=12sinx ,S扇形OAB =12x OBC=12ta
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PECVD-SiNx钝化减反射特性研究.pdf
- PECVD-SiNx钝化减反射特性研究
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Crack-free Al0.5Ga0.5N epilayer grown on SiC substrate by in situ SiNx interlayer.pdf
- Crack-freeAl0.5Ga0.5N epilayer grown SiCsubstrate situSiNxinterlayerPengcheng Taoa, Hongwei Lianga,n
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[理学]PECVD SiOx-SiNx叠层钝化膜.doc
- [理学]PECVD SiOx-SiNx叠层钝化膜分类号
密级： 密级：机密
硕 士 学 位 论 文
题 目： pecvd siox-sinx 叠层钝化膜 及等离子体氧化的研究 英文并列题目： 英文并列题目： the study of pecvd siox-sinx stack passivation films and 研 专 导 究 生： 业： 师： plasma oxidation 韩培育 光学工程 光电器件与材料 季静佳 李果华
研 究 方 向： 指导小组成员： 指导小组成员： 学位授予日期： 学位授予日期： 予日期
答辩委员会主席： 答辩委员会主席： 王利光
江 南 大 学
地址：无锡市蠡湖大道 1800 号 二〇一一年六月
独 创 性 声 明
本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取 得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外， 得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文 中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果， 中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含本人为获得江南 大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志 对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。 对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。 签 名： 日 期：
关于论文使用授权的说明
本学位论文作者完全了解江南大学有关保留、使用学位论文的规定： 本学位论文作者完全了解江南大学有关保留、使用学位论文的规定： 江南大学有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 江南大学有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允 许论文被查阅和借阅， 许论文被查阅和借阅，可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库 进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文， 进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文， 并且本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。 并且本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。 保密的学位论文在解密后
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BULK HYDROGENATION IN MC-SI BY PECVD SINX DEPOSITION USING DIRECT AND REMOTE PLASMA.pdf
- Our investigation focuses on the effect of bulk hydrogenation in mc-Si via PECVD SiNx deposition atlow temperatures, so without a subsequent firing step. In a recent publication we have shown that bulk lifetimeimprovement in mc-Si takes place during PECVD SiNx deposition at 450°C in a PECVD furnace with direct plasmaand low plasma generator frequency. In this work we study the bulk hydrogenation of mc-Si after SiNx deposition indifferent PECVD systems with direct and remote plasma. Tests were performed on p-type and n-type wafers frommc-Si ingots, p-type String Ribbon wafers and p-type EFG ribbon wafers. Neighbouring and adjacent wafersrespectively are used to compare bulk lifetimes after single and double sided SiNx deposition on wafers as grown andafter P-gettering. Bulk lifetime was measured spatially resolved with μ-PCD. Surface passivation was provided withan iodine-ethanol solution. Significant bulk lifetime improvement in mc-Si takes place during SiNx deposition at lowtempe
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设函数f(x)=a.(b+c),其中向量a=(sinx,-cosx),b=(sinx,-3cosx),c=(-cosx ....doc
- 九头鸟解评——湖北卷理科数学（11） 【前语】第16 题的位置很特殊，它是解答题的第一题，前15 题（客观题）正好分数过半，对于后半卷来讲，能否在第16 题上给考生以“开门红”增添信心，全在如何把题目
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46以SiNx为扩散阻挡层的选择性发射极电池技术-季根华.pptx
- 以SiNx为扩散阻挡层的选择性发射极电池技术季根华魏青竹马跃陈文浚王景霄江苏林洋新能源有限公司工程技术中心SolarfunConfidential前言选择性发射极（SE）技术是各类高效电池的基础技术，
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单晶硅太阳电池扩散薄层电阻和SiNx薄膜对电池短波响应的影响.pdf
- 88中国太阳能光伏进展单晶硅太阳电池扩散薄层电阻和SIN,[薄膜对电池短波响应的影响李华维张 辉‘黄跃文季凯春张立波夏明海孙励斌徐晓群宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司 宁波 315177【摘要】【
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淀积条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响.pdf
- 淀积条件对a—SiNx：H薄膜中含氢基团的影响沉积,薄膜,对a,淀积的,条件对a,淀积条件对,薄膜的,H薄膜,SiNx,H 薄膜
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向豆丁求助：有没有SinX?
