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CPTF型差压表.doc
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CPTF解析教育训练规划_第二章 array概述_01_曾亮锋.ppt
FDT & MLCM 解析部资料＿曾亮锋。array。CF。MDL。cell。2。ARRAY的五道光罩。3。Array 制程。顯影(黃光) Photo。Array。濕蝕刻 Wet Etching 乾蝕刻 Dry Etching。導體 反應離子蝕刻 RIE Mod 電漿蝕刻 PE Mod SE、CH蝕刻 BCE蝕刻。剝膜 Strip。4。Array基礎觀念。5。Array基礎觀念。6。Array 产线概念。1。2。3。4。導體。5。6。7。化學氣相沈積 CVD。電漿增強CVD PECVD。顯影(黃光) Photo。a。b。c。d。Array。濕蝕刻 Wet Etching。甲。乾蝕刻 Dry Etching。乙。丙。反應離子蝕刻 丁 Mod 戊 RIE 電漿蝕刻 PE Mod。己 SE、CH蝕刻。剝膜 Strip。子。丑。寅。卯。为070WP在SD层的机台release使用状况。7。Array 产线概念-与解析的关系。1. 机台的集中性需要一定数量的lot id去佐证 2. 机台若有集中性时需确认是否是绑机台生产 3. 时间集中性(array各制程机台产出时间）。8。顯影製程。390 455 492 577 597 622 780。光阻感應 敏感區。製程背 景色。暗房背 景色。負型光阻 ：光阻遇光部分產生 Cross Linking 使結構加強而不溶於顯影劑。 顯影後 正型光阻：在紫外光照射後，其鍵結被打斷， 正光阻 在顯影時即被溶掉，未曝光部分則存留，形 成耐酸性腐蝕之保護膜 。。顯影後。負光阻。9。顯影製程-与解析的关系。BF2D9KGDCA-SD残-8.76。BF2EVKNDBB-ITO残-4.148。BF2D9KWCBA-GE残-77。BF2DEKACDC-SD膜下异物-38.66。10。顯影製程。17” 1/3 Mura。17” Lens Mura。11。顯
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