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CsPbBr3量子点及QLEDs器件性能的改善.pdf
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一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件及其制备方法.doc
（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN110299437A （43）申请公布日 2019.10.01 （21）申请号 CN201910565247.0 （2
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光刻辅助的高分辨率量子点阵列结构制备及QLEDs器件构筑.pdf
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量子点发光二极管(QLEDs)的空穴传输层优化及无机QLEDs制备.pdf
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基于浸润性原理的纳米线阵列组装及其在QLEDs器件中的应用.pdf
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realizing 22.3 eqe and 7-fold lifetime enhancement in qleds via blending polymer tfb and cross-linkable small molecules for a solvent-resistant ho.pdf
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inkjet-printed high-efficiency multilayer qleds based on a novel crosslinkable small-molecule hole transport material (2019).[10.1002smll.201900111.pdf
inkjet-printed high-efficiency multilayer qleds based on a novel crosslinkable small-molecule hole transport material (2019).[10.1002smll.201900111
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氧化镍作为空穴注入层在绿光QLEDs器件中的应用(教学资料).doc
Doc-9LCDXR；本文是“高等教育”中“理学”的教学资料参考范文。正文共1,249字，word格式文档。内容摘要：第二章CdSe@Z绿光合金量子点的合成与表征 (15，第三章NiO纳米晶的合成与表征 (29，第四章量子点发光二极管的构筑与表征 (42。
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50-fold eqe improvement up to 6.27 of solution-processed all-inorganic perovskite cspbbr3 qleds via surface ligand density control.advanced materials.pdf
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碱金属掺杂MoO3基空穴注入层构筑QLEDs器件及其性能研究.docx
碱金属掺杂MoO3基空穴注入层构筑QLEDs器件及其性能研究碱金属掺杂MoO3基空穴注入层构筑QLEDs器件及其性能研究碱金属掺杂MoO3基空穴注入层构筑QLEDs器件及其性能研究
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