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源极/漏极区的制造方法及含源极/漏极区的半导体结构.doc
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包括延伸的NLDD源极-漏极区以获得改善的耐久性的MOS晶体管.doc
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具有外延成长的应力引发源极与漏极区的金氧半导体装置的制造方法.doc
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使用减少数量间隔件形成以嵌埋半导体材料作为源极/漏极区的半导体设备的方法.doc
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形成具有提升式源极和漏极区的半导体设备的方法及对应的半导体设备.doc
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在沟道与漏极区之间包括掺杂区的电子器件及其形成方法.doc
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鳍式场效应晶体管(FINFET)中的源极/漏极区及其形成方法.doc
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具有SiGe源极/漏极区的EEPROM单元的制造.doc
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源极区和漏极区之间具有BOX层的应变硅MOS器件.doc
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用于鳍式场效应晶体管的源极/漏极区及其形成方法.doc
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