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71
晶体管源极/
漏极区
及其形成方法
.pdf
晶体管源极/漏极区及其形成方法晶体管源极/漏极区及其形成方法晶体管源极/漏极区及其形成方法
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在外延源极或
漏极区
之间具有导电接触应力源的相邻全环栅集成电路结构
.pdf
在外延源极或漏极区之间具有导电接触应力源的相邻全环栅集成电路结构在外延源极或漏极区之间具有导电接触应力源的相邻全环栅集成电路结构在外延源极或漏极区之间具有导电接触应力源的相邻全环栅集成电路结构
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20
具有混合源极/
漏极区
的晶体管
.pdf
具有混合源极/漏极区的晶体管具有混合源极/漏极区的晶体管具有混合源极/漏极区的晶体管
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29
在源极/
漏极区
中形成凹槽的方法和由此形成的器件
.pdf
在源极/漏极区中形成凹槽的方法和由此形成的器件在源极/漏极区中形成凹槽的方法和由此形成的器件在源极/漏极区中形成凹槽的方法和由此形成的器件
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19
漏极区
中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法
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漏极区中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法漏极区中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法漏极区中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法
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18
包括位于邻近源极/
漏极区
的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构
.pdf
包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构
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4
设计的用于n型MOSFET的源极/
漏极区
.doc
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN104037224A (43)申请公布日 2014.09.10 (21)申请号 CN201310231593.8 (2
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4
使用经掺杂的凸起源极和
漏极区
的源极和漏极掺杂
.doc
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN103824777A (43)申请公布日 2014.05.28 (21)申请号 CN201310572044.7 (2
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4
包括源极/
漏极区
的半导体器件
.doc
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN111192923A (43)申请公布日 2020.05.22 (21)申请号 CN201910489544.1 (2
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4
具有非分立的源极区和
漏极区
的纳米线结构
.doc
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN104137237A (43)申请公布日 2014.11.05 (21)申请号 CN201180076434.4 (2
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