豆丁网

4

通过使用倾斜掺杂物注入凹入源极/漏极区的倒掺杂阱工程改进MOS器件的短沟道效应.doc

通过使用倾斜掺杂物注入凹入源极/漏极区的倒掺杂阱工程改进MOS器件的短沟道效应通过使用倾斜掺杂物注入凹入源极/漏极区的倒掺杂阱工程改进MOS器件的短沟道效应通过使用倾斜掺杂物注入凹入源极/漏极区的倒掺杂阱工程改进MOS器件的短沟道效应

• 掌桥科研
• 热度:

收藏到书房

2

垫高源漏极区的半导体组件制造方法的技术专利参考.pdf

名称:垫高源漏极区的半导体组件制造方法国际分类号:.范畴分类号:发明人:...主权利要求::.一种垫高源/漏极区的组件制造方法,其特征是:包括下列步骤:设...

• 笨笨猫
• 热度:

收藏到书房

5

具有源/漏极区的半导体装置.docx

具有源/漏极区的半导体装置具有源/漏极区的半导体装置具有源/漏极区的半导体装置

• 掌桥科研
• 热度:

收藏到书房

5

MOSFET源极/漏极区中的δ掺杂层.docx

MOSFET源极/漏极区中的δ掺杂层MOSFET源极/漏极区中的δ掺杂层MOSFET源极/漏极区中的δ掺杂层

• 掌桥科研
• 热度:

收藏到书房

4

埋入式源/漏极区的存储器组件的制造方法.docx

埋入式源/漏极区的存储器组件的制造方法埋入式源/漏极区的存储器组件的制造方法埋入式源/漏极区的存储器组件的制造方法

• 掌桥科研
• 热度:

收藏到书房

5

具有高掺杂漏极区的NOR型闪存结构及其制造方法.docx

具有高掺杂漏极区的NOR型闪存结构及其制造方法具有高掺杂漏极区的NOR型闪存结构及其制造方法具有高掺杂漏极区的NOR型闪存结构及其制造方法

• 掌桥科研
• 热度:

收藏到书房

4

FinFET中的鳍间隔件保护的源极和漏极区.docx

FinFET中的鳍间隔件保护的源极和漏极区FinFET中的鳍间隔件保护的源极和漏极区FinFET中的鳍间隔件保护的源极和漏极区

• 掌桥科研
• 热度:

收藏到书房

4

FinFET器件的源极区和漏极区中的位错形成.docx

FinFET器件的源极区和漏极区中的位错形成FinFET器件的源极区和漏极区中的位错形成FinFET器件的源极区和漏极区中的位错形成

• 掌桥科研
• 热度:

收藏到书房

4

具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置.docx

具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置

• 掌桥科研
• 热度:

收藏到书房

5

具有横向延伸部分的晶体管的嵌入式源极或漏极区.docx

具有横向延伸部分的晶体管的嵌入式源极或漏极区具有横向延伸部分的晶体管的嵌入式源极或漏极区具有横向延伸部分的晶体管的嵌入式源极或漏极区

• 掌桥科研
• 热度:

收藏到书房