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应变硅CMOS晶体管的原位掺杂硅锗与碳化硅源漏极区.docx

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利用锗预非晶处理来形成P-型轻度掺杂的漏极区的方法.docx

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源极和漏极区的外延形成机制的非对称循环沉积和蚀刻工艺.docx

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施加浮动电压于源极或漏极区的操作存储器的装置与方法.docx

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在垂直晶体管器件上形成底部与顶部源极/漏极区的方法.docx

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金氧半导体场效应电晶体及源/漏极区中降低损坏的方法.docx

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在小平面区下方具有向下的锥形区的晶体管的嵌入式源极或漏极区.docx

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在窄隔离有界的源极/漏极区上形成改善的EPI填充的方法及由此形成的结构.docx

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组态及制造具有沿着源极/漏极区带的带有经裁制袋部的非对称场效应晶体管的半导体结构.docx

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