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用于在半导体结构
上外延
生长的系统、设备和方法
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用于在半导体结构上外延生长的系统、设备和方法用于在半导体结构上外延生长的系统、设备和方法用于在半导体结构上外延生长的系统、设备和方法
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16
硅
上
III-V族半导体
外延
结构及其制备方法
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硅上III-V族半导体外延结构及其制备方法硅上III-V族半导体外延结构及其制备方法硅上III-V族半导体外延结构及其制备方法
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13
一种应用于Si衬底
上
的LED
外延
片及其生长方法
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一种应用于Si衬底上的LED外延片及其生长方法一种应用于Si衬底上的LED外延片及其生长方法一种应用于Si衬底上的LED外延片及其生长方法
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17
一种
外延
炉的衬底装载装置及
上
下料系统
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一种外延炉的衬底装载装置及上下料系统一种外延炉的衬底装载装置及上下料系统一种外延炉的衬底装载装置及上下料系统
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一种GaAs衬底
上
生长有CdTe
外延
层的结构及方法
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一种GaAs衬底上生长有CdTe外延层的结构及方法一种GaAs衬底上生长有CdTe外延层的结构及方法一种GaAs衬底上生长有CdTe外延层的结构及方法
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在晶片的正面
上
沉积
外延
层的方法和实施该方法的装置
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在晶片的正面上沉积外延层的方法和实施该方法的装置在晶片的正面上沉积外延层的方法和实施该方法的装置在晶片的正面上沉积外延层的方法和实施该方法的装置
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14
用于在半导体晶圆的正面
上
沉积
外延
层的方法和实施该方法的装置
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用于在半导体晶圆的正面上沉积外延层的方法和实施该方法的装置用于在半导体晶圆的正面上沉积外延层的方法和实施该方法的装置用于在半导体晶圆的正面上沉积外延层的方法和实施该方法的装置
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用于在半导体材料的衬底晶圆
上
沉积
外延
层的方法和设备
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用于在半导体材料的衬底晶圆上沉积外延层的方法和设备用于在半导体材料的衬底晶圆上沉积外延层的方法和设备用于在半导体材料的衬底晶圆上沉积外延层的方法和设备
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一种石墨烯
上
利用氮化硅作为掩膜层
外延
氮化物材料的方法
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一种石墨烯上利用氮化硅作为掩膜层外延氮化物材料的方法一种石墨烯上利用氮化硅作为掩膜层外延氮化物材料的方法一种石墨烯上利用氮化硅作为掩膜层外延氮化物材料的方法
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一种在导电型氧化镓衬底
上
制备同质
外延
氧化镓薄膜的方法及HVPE设备
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一种在导电型氧化镓衬底上制备同质外延氧化镓薄膜的方法及HVPE设备一种在导电型氧化镓衬底上制备同质外延氧化镓薄膜的方法及HVPE设备一种在导电型氧化镓衬底上制备同质外延氧化镓薄膜的方法及HVPE设备
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