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钢铁常温磷化研究(理科).pdf
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宜化大江公司高浓度磷复肥工程可行性研究报告(优秀可研报告).doc
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MOCVD挑战:镓铟磷-砷化镓体系的生长及其特性.pdf
- 通过在该领域的驱动力之一撰写，金属有机化学气相沉积挑战是全面检讨，包括磷砷化铟镓，磷化铟，磷砷化铟镓，砷化镓，以及电子和光子器件应用的相关材料。 这些III - V族半导体化合物已被用于实现电子，光电，量子器件具有革命性的电信服务。 封底上的图给出了能隙为整个这些III - V族元素的二元，三元，四元组合成分和范围和晶格参数。 通过了解的材料和学习，以控制经济增长的新设备成为可能：前盖显示了世界上第一个磷化铟/ gainas屈服超晶格，是由笔者制作 - 这甚至将成为像量子级联激光器现代量子器件的基础，量子点红外探测器。 现在，在其第二版，这个更新和综合卷包含的MOCVD生长，材料优化的秘密，和现代设备技术。 它从一个以半导体化合物的引进和MOCVD生长的过程。 然后讨论在原地和异地的MOCVD生长特性。 其次，该书详细考察了GaInP增长（为）- GaAs和gainas屈服性（P）- InP材料系统的具体细节。 它研究了MOCVD生长的各种III - V族异质结和超晶格的增长并讨论了实现这种材料的电子和光电子器件。 跨越30年的研究，这本书是权威资源的MOCVD。
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向豆丁求助：有没有常温磷化?
