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除速度和数据保持能力已经无法同时满足非挥发存储应用的要求。金属
纳米晶存储器具有更高的速度和更好的可靠性，它将成为一种下一代浮
栅结构非易失存储器件的有力替代者。因此有必要全面研究影响金属纳
米晶非挥发存储器存储特性的因素。本文的研究为金属纳米晶存储器代
替传统浮栅结构完善了理论依据。
本文从金属浮栅结构电容模型计算、TCAD 软件仿真和数据保持能
力建模三方面对金属纳米晶存储器存储特性进行了研究。首先，从器件
的电容模型出发，分析了影响器件编程擦除速度的因素。其次，利用
TCAD 软件SILVACO/ATLAS 仿真金属纳米晶存储器件编程擦除特性。
最后，在综合考虑量子限制和库伦阻塞两种效应的基础上，建立并验证
了金属纳米晶数据保持能力的数学分析模型。
研究结果表明：（1）增大浮栅功函数对不影响器件的编程速度，会
减小器件的擦除速度，提高器件的数据保持能力。（2）增大控制栅功函
数会减小器件的编程速度，会提高器件的擦除速度，不影响器件的数据
保持能力。（3）金属纳米晶存储器中金属纳米晶的数量越多、直径越大
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