按相关排序
全部格式
全部页数
时间不限
只看优质
只看可投资
展开
排序：
相关 最多阅读 最新上传
格式：
全部 doc pdf ppt xls txt 豆单
页数：
全部 1-8页 9-100页 100页以上
时间：
全部 2024年 2023年 2022年及以前
71
晶体管源极/漏极区及其形成方法.pdf
晶体管源极/漏极区及其形成方法晶体管源极/漏极区及其形成方法晶体管源极/漏极区及其形成方法
收藏到书房
33
在外延源极或漏极区之间具有导电接触应力源的相邻全环栅集成电路结构.pdf
在外延源极或漏极区之间具有导电接触应力源的相邻全环栅集成电路结构在外延源极或漏极区之间具有导电接触应力源的相邻全环栅集成电路结构在外延源极或漏极区之间具有导电接触应力源的相邻全环栅集成电路结构
收藏到书房
20
具有混合源极/漏极区的晶体管.pdf
具有混合源极/漏极区的晶体管具有混合源极/漏极区的晶体管具有混合源极/漏极区的晶体管
收藏到书房
29
在源极/漏极区中形成凹槽的方法和由此形成的器件.pdf
在源极/漏极区中形成凹槽的方法和由此形成的器件在源极/漏极区中形成凹槽的方法和由此形成的器件在源极/漏极区中形成凹槽的方法和由此形成的器件
收藏到书房
19
漏极区中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法.pdf
漏极区中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法漏极区中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法漏极区中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法
收藏到书房
18
包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构.pdf
包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构
收藏到书房
4
设计的用于n型MOSFET的源极/漏极区.doc
（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN104037224A （43）申请公布日 2014.09.10 （21）申请号 CN201310231593.8 （2
收藏到书房
4
使用经掺杂的凸起源极和漏极区的源极和漏极掺杂.doc
（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN103824777A （43）申请公布日 2014.05.28 （21）申请号 CN201310572044.7 （2
收藏到书房
4
包括源极/漏极区的半导体器件.doc
（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN111192923A （43）申请公布日 2020.05.22 （21）申请号 CN201910489544.1 （2
收藏到书房
4
具有非分立的源极区和漏极区的纳米线结构.doc
（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN104137237A （43）申请公布日 2014.11.05 （21）申请号 CN201180076434.4 （2
收藏到书房

向豆丁求助：有没有漏极区?

如要投诉违规内容，请联系我们按需举报；如要提出意见建议，请到社区论坛发帖反馈。