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MOCVD挑战:镓铟磷-砷化镓体系的生长及其特性.pdf
通过在该领域的驱动力之一撰写，金属有机化学气相沉积挑战是全面检讨，包括磷砷化铟镓，磷化铟，磷砷化铟镓，砷化镓，以及电子和光子器件应用的相关材料。 这些III - V族半导体化合物已被用于实现电子，光电，量子器件具有革命性的电信服务。 封底上的图给出了能隙为整个这些III - V族元素的二元，三元，四元组合成分和范围和晶格参数。 通过了解的材料和学习，以控制经济增长的新设备成为可能：前盖显示了世界上第一个磷化铟/ gainas屈服超晶格，是由笔者制作 - 这甚至将成为像量子级联激光器现代量子器件的基础，量子点红外探测器。 现在，在其第二版，这个更新和综合卷包含的MOCVD生长，材料优化的秘密，和现代设备技术。 它从一个以半导体化合物的引进和MOCVD生长的过程。 然后讨论在原地和异地的MOCVD生长特性。 其次，该书详细考察了GaInP增长（为）- GaAs和gainas屈服性（P）- InP材料系统的具体细节。 它研究了MOCVD生长的各种III - V族异质结和超晶格的增长并讨论了实现这种材料的电子和光电子器件。 跨越30年的研究，这本书是权威资源的MOCVD。
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SJ 3244.4-1989 砷化镓和磷化铟材料载流子浓度剖面分布的测试方法-电化学电压电容法.pdf
SJ 3244.4-1989 砷化镓和磷化铟材料载流子浓度剖面分布的测试方法-电化学电压电容法SJ 3244.4-1989 砷化镓和磷化铟材料载流子浓度剖面分布的测试方法-电化学电压电容法SJ 3244.4-1989 砷化镓和磷化铟材料载流子浓度剖面分布的测试方法-电化学电压电容法
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砷化铟镓的电性研究与平面型PIN光侦测器的制作.pdf
In0.53Ga0.47Asandthe fabrication AlInGaAs/In0.53Ga0.47As/InPlateral PIN photodetectors系所：光電科學研究所碩士班研
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中撰咨询-安徽光智科技有限公司清远分公司年产碲锌镉单晶片、锑化镓单晶片、锑化铟单晶片和砷化铟单晶片1.8444吨新建项目可研报告.docx
中撰咨询-安徽光智科技有限公司清远分公司年产碲锌镉单晶片、锑化镓单晶片、锑化铟单晶片和砷化铟单晶片1.8444吨新建项目可研报告中撰咨询-安徽光智科技有限公司清远分公司年产碲锌镉单晶片、锑化镓单晶片、锑化铟单晶片和砷化铟单晶片1.8444吨新建项目可研报告中撰咨询-安徽光智科技有限公司清远分公司年产碲锌镉单晶片、锑化镓单晶片、锑化铟单晶片和砷化铟单晶片1.8444吨新建项目可研报告
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温度效应对砷化铟镓半导体量子点雷射特性之影响.pdf
温度效应对砷化铟镓半导体量子点雷射特性之影响
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垂直耦合自聚性砷化铟镓量子点之光学特性研究.pdf
文垂直耦合自聚性砷化銦鎵量子點之光學特性研究指導教授： 徐子民 博士研究生： 許世祿中華民國八十九年六月 垂直耦合自聚性砷化銦鎵量子點之光學特性研究 要本篇論文主要是利用穿透式電子顯微鏡（TEM）及調
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博研咨询:中国砷化铟镓探测器和阵列行业市场情况研究及竞争格局分析报告.pdf
博研咨询：中国砷化铟镓探测器和阵列行业市场情况研究及竞争格局分析报告博研咨询：中国砷化铟镓探测器和阵列行业市场情况研究及竞争格局分析报告博研咨询：中国砷化铟镓探测器和阵列行业市场情况研究及竞争格局分析报告
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中国砷化铟镓(InGaAs)晶圆行业市场情况研究及竞争格局分析报告市场调研在线.pdf
中国砷化铟镓（InGaAs）晶圆行业市场情况研究及竞争格局分析报告市场调研在线中国砷化铟镓（InGaAs）晶圆行业市场情况研究及竞争格局分析报告市场调研在线中国砷化铟镓（InGaAs）晶圆行业市场情况研究及竞争格局分析报告市场调研在线
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中国砷化铟镓(InGaAs)光电二极管传感器行业市场情况研究及竞争格局分析报告市场调研在线.pdf
中国砷化铟镓(InGaAs)光电二极管传感器行业市场情况研究及竞争格局分析报告市场调研在线中国砷化铟镓(InGaAs)光电二极管传感器行业市场情况研究及竞争格局分析报告市场调研在线中国砷化铟镓(InGaAs)光电二极管传感器行业市场情况研究及竞争格局分析报告市场调研在线
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中国分析仪器用砷化铟镓光电二极管和阵列行业市场情况研究及竞争格局分析报告市场调研在线.pdf
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