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硅的干蚀刻方法硅的干蚀刻方法硅的干蚀刻方法
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利用抗
蚀刻
帽盖层为
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利用抗蚀刻帽盖层为硅锗层形成金属接触部利用抗蚀刻帽盖层为硅锗层形成金属接触部利用抗蚀刻帽盖层为硅锗层形成金属接触部
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率
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氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率
jianglibu1943
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玻璃
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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN111233339A (43)申请公布日 2020.06.05 (21)申请号 CN202010203992.3 (2
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High Aspect Ratio Silicon Etch - A Review:高宽比的
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-评论
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无锡锐捷芯盛电子科技有限公司
蚀刻
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硅
氧烷类化合物的氮化
硅
层
蚀刻
组合物
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以高密度電漿化學氣相沉積系統成长与
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台湾逢甲大学硕士论文 PECVD 气相沉积 氮化硅
fireworks911
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氮化硅膜蚀刻组合物氮化硅膜蚀刻组合物氮化硅膜蚀刻组合物
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