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高介电常.pdf
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高介电薄膜简介.pdf
- 由於电晶体导电电子的通道正位於该介面层的下方,介面层特性的好坏会透 过电子与之的交互作用直接反应在电晶体的电特性上;即所谓电子迁移率.而电 子迁移率正是决定电晶体驱动电流大小的关键因素;驱动电流大则电路的速度相 对地随之提升....
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高介电性高分子材料.pdf
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高介电\高压电常数压电陶瓷的研究.pdf
- 本文采用固相法制备了Nb2O5掺杂Pb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3(x＝0.07,
0.565≤y≤0.58)(简称PLZT)压电陶瓷和Sb2O3掺杂PZT压电陶瓷，通过X射线衍射（XRD）对合成后的材料晶相进行了分析，用扫描电子显微镜（SEM）观察了样品表面的显微结构，并且讨论了组成和烧结温度对材料介电、压电性能以及温度稳定性的影响，通过试验确定了金属化温度、极化温度和极化场强。通过研究Zr/Ti比对Nb2O5掺杂PLZT系统性能的影响发现：三方相和四方相共存的准同型相位于一个组成范围内，在1060℃的预烧温度、1240℃的烧结温度且保温2h的条件下，当Zr/Ti＝57.5/42.5时，得到综合性能优良的压电材料：相对介电常数=3100，介电损耗tan330εT/εδ=1.96%，压电常数d33=550pC/N，机电耦合系数Kp=66％，居里温度TC=210℃；Nb5+部分置换(ZrTi)4+，增强了陶瓷的介电、压电活性，降低了居里温度，陶瓷体的温度稳定性良好，当Zr/Ti＝57.5/42.5时，谐振频率的温度变化率最小，-25~80℃的平均TKfr为2.1×10-4/℃，此时Kp的变化率也最低，为4.6×10-4/℃。上述研究结果在实际生产中有较强的实用意义。
此外，研究了Sb2O3含量和Zr/Ti比对Sb掺杂PZT压电陶瓷在准同型相界附近的介电、压电性能的影响。Sb3+置换Pb2+，极大的增强了PZT的介电、压电性能，在900℃的预烧温度、1250℃的烧结温度且保温2h的条件下，当Sb2O3＝1.9wt%，Zr/Ti＝53/47时，系统的综合性能最佳：=2100，tan
330εT/εδ=1.96%，d33=450pC/N，Kp=66.8%，TC=300℃。材料的居里温度提高，一定程度上扩宽了材料的使用温度。
关键词：PZT PLZT介电、压电性能准同型相界温度稳定性
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高介电陶瓷CaCu3Ti4O12的制备及性能研究.pdf
- 2012 陕西理工学院学报 ShaanxiUniversity NaturalScience Edition) ol|28 文章编号]1673 —2944 (2012 )05 —0005 —05 电陶
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CCTO高介电薄膜的制备及其介电性能研究.pdf
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钛酸钡基多相复合高介电材料研究.pdf
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钇掺杂钛酸锶钡高介电陶瓷的电性能研究.pdf
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向豆丁求助：有没有高介电?
