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新一代宽带隙SiC衬底材料现状与发展趋势.doc
1 SiC衬底材料发展趋势我们知道，衬底材料的品质决定了功率器件的成本及其特性。当前，SiC衬底材料呈现出尺寸不断增大、品质不断提高、价格不断下降的趋势。随着SiC功率半导体器件实用化的研发，SiC衬底材料的需求量也在不断扩大，2006年SiC单晶衬底的市场规模为40亿日元。日本矢野经济研究所预计：使用Si的高压分离器件将被SiC器件所取代，并预测SiC单晶衬底的市场规模2010年达到105亿日元，2015年将达到300亿日元，增大近3倍。SiC衬底材料品质的提高主要体现在SiC衬底缺陷的不断减少方面，尤其是危害SiC功率器件的微管缺陷的不断减少
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一种以高介电、宽带隙金属氧化物为绝缘层的有机薄膜晶体管及其制备方法与应用.doc
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美_日_欧宽带隙半导体技术发展研究.pdf
【精品论文】
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多频段宽带隙的大孔隙率声子功能材料结构及其制作方法.doc
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高电导宽带隙微晶-非晶混合相p型Si∶H薄膜研究.docx
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一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管.doc
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一种抑制高速电路地弹噪声的超宽带平面电磁带隙结构.doc
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一种基于电磁带隙结构的超宽带陷波单极子天线.doc
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β辐射宽带隙半导体材料的电离特性的研究.pdf
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宽带隙非晶硅氧材料及其太阳电池的研究开题报告.docx
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向豆丁求助：有没有高电导率宽带隙窗口材料的研究?

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