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电迁移及其测试技术在超深亚微米IC金属化工艺开发中的研究.pdf
复旦大学硕士学位论文电迁移及其测试技术在超深亚微米IC金属化工艺开发中的研究姓名：黄宁阳申请学位级别：硕士专业：电子与通信工程指导教师：郑国祥20061030目录摘要特征尺寸在０．１８微米及以下制成称
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采用分离的、双面的金属化结构来促进采用堆叠裸片的半导体裸片("裸片")模块的集成电路(IC)封装以及相关的制造方法.pdf
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IC工艺技术8 - 金属化.ppt
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IC工艺技术8_金属化.ppt
从金属化概论，金属化系统，PVD形成金属膜－蒸发和溅射，平坦化和先进的互连工艺等方面阐述。
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金属化铝膜蒸镀原理及特性IC工艺技术.ppt
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ic工艺技术金属化.ppt
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金属化铝膜蒸镀原理及特性IC工艺技术共89页文档.ppt
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金属化铝膜蒸镀原理及特性IC工艺技术.ppt
金属化铝膜蒸镀原理及特性IC工艺技术
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ic工艺技术8__金属化.pdf
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亚微米IC器件中接触孔的填充和铝金属化工艺的技术.pdf
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