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価数揺动物质EuNi2(Si1-xGex)2强磁场XMCD.pdf
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低磁场条件下Gd5(Si1-xGex)4(x=0,0.2,0.3)合金磁热效应研究.pdf
摘 要: 用高频真空悬浮炉在氩气保护下制备了
Gd5(Si1-xGex)4(x=0,0.2,0.3)系列样品,用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场(H=1.3T)条件下样品的磁热效应曲线(ΔTad-T)。结果表明,用元素 Ge 分别替代 Gd5Si4合金中的 Si 原子,不能增强合金的磁热效应,但可在 333~300K 范围改变材料的居里温度,且磁热效应峰值范围变宽。
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第一性原理研究应变si(001)si1-xgex能带结构.pdf
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直接带隙Ge-Si1-xGex和ZnO-BexZn1-xO量子阱中激子态和带间光跃迁.pdf
EXCIToNSTATE SAND INTERBAND TRANSITIoNS IN THE DIRECl一GAP Ge/Sil吠G气AND ZnO/Bex Znl嘎0 QUANTUM WELL AD
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[精品]a(Si1-XGeX)aSi+x(a.ppt
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双轴应变Ge_Si1-xGex价带结构模型及空穴有效质量研究.pdf
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应变Si1-xGex (100)电子散射几率.pdf
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应变Si-(001)Si1-xGex价带结构.doc
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基于Si/Si1-xGex/Si异质结双极性晶体管的微波功率器件电流密度的数值拟合计算.doc
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【精品PPT】a(Si1-XGeX)aSi+x(a.ppt
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